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德國Hellma氟化鈣(CaF?)在半導體微光刻中作為關鍵光學材料,憑借其從深紫外到紅外的高寬帶透射率、低折射率、低光譜色散及優異的激光耐久性,成為投影和照明光學中準分子激光光學器件的行業標準材料,支撐7nm及以下制程芯片制造。

核心技術壁壘與質量控制
單晶生長:布里奇曼法制備低缺陷、高均勻性單晶,氧/金屬雜質≤1ppm,減少散射與吸收損耗。
精密加工:亞納米級表面粗糙度、無應力拋光,控制雙折射與波前畸變。
激光耐久性:193/248nm準分子激光長期輻照(>109脈沖)無損傷,適配光刻機高產能需求。
定制能力:按NA、波長、接口定制尺寸/取向/鍍膜,匹配光刻機設計。
在半導體微光刻中的應用
投影和照明光學:Hellma氟化鈣作為投影和照明光學中準分子激光光學器件的行業標準材料,被廣泛應用于半導體制造中的光刻機物鏡系統。其優異的光學性能確保了光刻過程中激光的高效傳輸和精準聚焦,從而實現了納米級芯片圖案的曝光。
深紫外光刻系統:在193nm光刻機中,Hellma氟化鈣用于光刻物鏡,配合193nm準分子激光實現納米級的芯片圖案曝光。其低吸收與高均勻性保障了光刻分辨率,是45nm及以下節點制程的關鍵材料。
DUV激光器:Hellma氟化鈣還用于準分子激光器(如ArF,波長193nm)的輸出窗口,可承受高頻次、高強度激光照射,確保激光器的穩定運行和長壽命。

供應鏈與選型要點
供應鏈定位:光刻級CaF?核心供應商,供應ASML等頭部設備商,高市場占比約35%。
選型建議:
193nmArFi選Lithotec®光刻級+增透膜,嚴控雙折射與表面缺陷。
248nm選標準光刻級,平衡成本與性能。
真空窗口選低放氣率+抗輻射級,適配腔體環境。
HellmaMaterials半成品的優勢:
材料尺寸的靈活性:為您的具體需求量身定制解決方案。
優化性能:實現高的光學精度和效率。
可靠性:信任經過驗證且使用壽命長的材料。
質量控制:所有測量技術均在內部進行,包括激光實驗室。